100+ câu Trắc nghiệm Cơ sở thiết kế VLSI có đáp án - Phần 4

Tích hợp một số lượng lớn vi mạch và bộ nhớ

Thiết kế linh hoạt và dễ dàng mở rộng

Thực hiện nhiều chức năng phức tạp trong một mạch

Hiệu suất cao và tiết kiệm năng lượng

Simulated Annealing

Breadth-First Search

Stick Diagram

RTL (Register Transfer Level)

Hiện tượng giảm hiệu năng mạch do độ dài của kênh trở nên lớn

Hiện tượng tăng hiệu năng mạch do độ dài của kênh trở nên lớn

Hiện tượng giảm sự nóng chảy trong mạch do độ dài của kênh trở nên lớn

Hiện tượng tăng sự ổn định của mạch do độ dài của kênh trở nên lớn

Giảm độ trễ mạch

Tăng độ trễ mạch

Giảm độ nghịch của mạch

Tăng độ nghịch của mạch

Một thành phần bán dẫn dùng để kiểm soát dòng điện trong mạch

Một loại bộ nhớ dùng để lưu trữ dữ liệu

Một chất nhạy ánh sáng dùng trong quá trình photoresist

Một loại màng bảo vệ lên wafer

Sử dụng các loại công nghệ mới

Sắp xếp vị trí của các thành phần trên wafer

Đảm bảo tính cách ly giữa các lớp trên wafer

Kiểm tra độ phản chiếu của wafer

Khi cổng và nguồn được nối chung

Khi cổng và nối chung với nguồn thông qua một điện trở

Khi cổng và nguồn không nối chung

Hiệu ứng body không xảy ra trong mạch MOSFET

Tăng kích thước transistor

Sử dụng điện trở kết nối cổng và nguồn

Giảm kích thước transistor

Không có biện pháp nào để giảm hiệu ứng body

Một loại mô-đun bán dẫn nhỏ gọn

Một thiết bị lưu trữ dữ liệu

Một loại vật liệu trắng trong chế tạo mạch

Lõi silicon đơn thuần được sử dụng để chế tạo mạch tích hợp

Kim loại

Nhựa tổng hợp

Silicon

Thủy tinh

Cầu

Trụ

Đĩa phẳng và mỏng

Hình lục giác

Etsa hóa học (Chemical Etching)

Etsa plasma (Plasma Etching)

Etsa điện hóa (Electrochemical Etching)

Etsa laser (Laser Etching)

Tạo hình các thành phần mạch trên wafer

Làm mỏng wafer

Tạo bảo vệ bề mặt wafer

Tạo các lớp bảo vệ wafer

Chất sơn phủ lên wafer

Chất nhạy ánh sáng dùng để chiếu vào wafer

Chất tạo hình bề mặt wafer

Chất làm mỏng wafer

Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích âm trên wafer

Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer

Quá trình tạo lỗ giếng không doped trên wafer

Quá trình làm mỏng wafer

Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích âm trên wafer

Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer

Quá trình tạo lỗ giếng không doped trên wafer

Quá trình làm mỏng wafer

Twin-well sử dụng hai lớp n-well và p-well, trong khi triple-well sử dụng ba lớp n-well và p-well

Twin-well sử dụng ba lớp n-well và p-well, trong khi triple-well sử dụng hai lớp n-well và p-well

Twin-well và triple-well là hai thuật ngữ đồng nghĩa và có cùng ý nghĩa

Twin-well và triple-well là hai phương pháp khác nhau nhưng không liên quan đến VLSI

Một trạng thái

Hai trạng thái

Ba trạng thái

Bốn trạng thái

Tiết kiệm chi phí sản xuất

Tăng độ chính xác của mạch

Đơn giản và dễ thiết kế

Tăng hiệu năng mạch

Tín hiệu Clock

Tín hiệu mức cao

Tín hiệu mức thấp

Cả 2 mức cao và thấp

Tốc độ truy cập nhanh và thời gian truy cập ngắn

Tiết kiệm chi phí sản xuất

Đơn giản và dễ thiết kế

Tăng hiệu năng mạch

Bộ nhớ đọc/ghi, chỉ lưu trạng thái khi cấp điện

Bộ nhớ đọc/ghi, lưu trạng thái khi mất điện

Bộ nhớ chỉ đọc, lưu trạng thái khi không điện

Khả năng ghi dữ liệu cao hơn

Tốc độ ghi nhanh

Mất dữ liệu khi mất nguồn

Tiết kiệm năng lượng

Tốc độ truy cập chậm hơn so với RAM

Chi phí sản xuất cao hơn so với RAM

Không thể lưu trữ dữ liệu lâu dài

Không thể xóa và ghi lại dữ liệu

AND gate

OR gate

XOR gate

Flip-flops