100+ câu trắc nghiệm Điện tử công suất có đáp án - Phần 1

W_SWON = $\frac{1}{6}$V.I.t_swoff

W_SWON = $\frac{1}{6}$V.I.t_swon

W_SWON = $\frac{1}{3}$V.I.t_swon

W_SWON = $\frac{1}{3}$V.I.t_swoff

W_SWOFF = $\frac{1}{6}$V.I.t_swoff

W_SWOFF = $\frac{1}{6}$V.I.t_swon

W_SWOFF = $\frac{1}{3}$V.I.t_swon

W_SWOFF = $\frac{1}{3}$V.I.t_swoff

W_SW = $\frac{1}{3}$V.I(t_swon + t_swoff)

W_SW = $\frac{1}{6}$V.I(t_swon + t_swoff)

W_SW = $\frac{1}{2}$V.I(t_swon + t_swoff)

W_SW = V.I(t_swon + t_swoff)

P_SW = $\frac{1}{3}$VI(t_swon + t_swoff)f

P_SW = $\frac{1}{2}$VI(t_swon + t_swoff)f

P_SW = $\frac{1}{6}$VI(t_swon + t_swoff)f

P_SW = VI(t_swon + t_swoff)f

P_T = P_ON + P_OFF + P_SW

P_T = V_FI_F$$\frac{t_{on}}{T}$$

P_T = V_FI_F$$\frac{t_{off}}{T}$$

P_T = $\frac{1}{6}$V_FmaxI_Fmax(t_swon + t_swoff)f

P_ON = V_CEbhI_CM + V_BEbhI_B

P_ON = V_CCI_r$$\frac{t_{off}}{T}$$

P_ON = V_CEbhI_CM + V_CEbhI_B

P_ON = V_CCI_CM$$\frac{t_{on}}{T}$$

P_OFF = V_CEbhI_CM + V_BEbhI_B

P_OFF = V_CCI_r$$\frac{t_{off}}{T}$$

P_OFF = V_CEbhI_CM + V_CEbhI_B

P_OFF = V_CCI_CM$$\frac{t_{on}}{T}$$

W_SW = $\frac{1}{3}$V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

W_SW = $\frac{1}{6}$V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

W_SW = $\frac{1}{2}$V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

W_SW = V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ)

Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cỡ vài chục volt

Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz)

Tất cả các câu A, B, C đều đúng

P_ON = $$I_D^2$$R_DSon$\frac{t_{off}}{T}$

P_ON = $$I_D^2$$R_DSon$\frac{t_{on}}{T}$

P_ON = V_DSmaxI_DR $\frac{t_{on}}{T}$

P_ON = V_DSmaxI_DR $\frac{t_{off}}{T}$

P_OFF = $$I_D^2$$R_DSon$\frac{t_{off}}{T}$

P_OFF = $$I_D^2$$R_DSon$\frac{t_{on}}{T}$

P_OFF = V_DSmaxI_DR $\frac{t_{on}}{T}$

P_OFF = V_DSmaxI_DR $\frac{t_{off}}{T}$

W_SW = $\frac{1}{3}$V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

W_SW = $\frac{1}{6}$ V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

W_SW = $\frac{1}{2}$ V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

W_SW = V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

P_T = P_ON + P_OFF + P_SW

P_T = V_DSI_D$$\frac{t_{on}}{T}$$

P_T = V_CDI_D$$\frac{t_{off}}{T}$$

P_T = $\frac{1}{6}$V_DSmaxI_D(t_swon + t_swoff)f

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK âm và cho xung kích đi vào cực G_K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_A

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK dương và cho xung kích đi vào cực G_A, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK dương và cho xung kích đi vào cực G_K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_A

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK âm và cho xung kích đi vào cực G_A nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K

Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi đóng GTO

Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi ngắt GTO

Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi đóng GTO

Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi ngắt GTO

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

Tần số làm việc cao (vài kHz)

Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs)

Các phát biểu trên đều đúng

BJT

TRIAC

UJT

JFET

mosfet

TRIAC

THYRISTOR

DIAC