100+ câu trắc nghiệm Thiết kế VLSI có đáp án - Phần 5

Khi cổng và nguồn được nối chung

Khi cổng và nối chung với nguồn thông qua một điện trở

Khi cổng và nguồn không nối chung

Hiệu ứng body không xảy ra trong mạch MOSFET

Tăng điện áp ngưỡng

Giảm điện áp ngưỡng

Không ảnh hưởng đến điện áp ngưỡng

Điện áp ngưỡng không tồn tại trong transistor MOSFET

Tăng hiệu năng mạch

Giảm hiệu năng mạch

Tăng hiệu suất mạch

Không ảnh hưởng gì đến hiệu năng và hiệu suất mạch

Tăng kích thước transistor

Sử dụng điện trở kết nối cổng và nguồn

Giảm kích thước transistor

Không có biện pháp nào để giảm hiệu ứng body

Một loại mô-đun bán dẫn nhỏ gọn

Một thiết bị lưu trữ dữ liệu

Một loại vật liệu trắng trong chế tạo mạch

Lõi silicon đơn thuần được sử dụng để chế tạo mạch tích hợp

Kim loại

Nhựa tổng hợp

Silicon

Thủy tinh

Cầu

Trụ

Đĩa phẳng và mỏng

Hình lục giác

Loại bỏ các lỗi trong mạch

Bảo vệ sự an toàn của người làm việc

Tạo ra các tính năng thêm vào trong mạch

Định rõ vị trí của các thành phần trên wafer

Quá trình sơn phủ lớp bảo vệ lên wafer

Quá trình làm mỏng wafer để tạo thành mạch tích hợp

Quá trình etsa (tạo hình) các khu vực trên wafer để tạo thành các thành phần mạch

Quá trình kiểm tra và đo lường các tính chất của wafer

Làm mỏng wafer

Làm dày wafer

Tạo hình các thành phần mạch trên wafer

Tạo bảo vệ bề mặt wafer

Etsa hóa học (Chemical Etching)

Etsa plasma (Plasma Etching)

Etsa điện hóa (Electrochemical Etching)

Etsa laser (Laser Etching)

Transistor MOSFET

Các lớp bảo vệ wafer

Các tuyến dẫn và kết nối giữa các thành phần

Đèn LED

Chỉ từ vài micromet đến vài milimet

Chỉ từ vài nanomet đến vài micromet

Từ vài nanomet đến vài micromet và có thể thậm chí lớn hơn

Chỉ từ vài picomet đến vài nanomet

Quá trình sơn phủ lớp bảo vệ lên wafer

Quá trình làm mỏng wafer để tạo thành mạch tích hợp

Quá trình tạo hình các khu vực trên wafer để tạo thành các thành phần mạch

Quá trình kiểm tra và đo lường các tính chất của wafer

Tạo hình các thành phần mạch trên wafer

Làm mỏng wafer

Tạo bảo vệ bề mặt wafer

Tạo các lớp bảo vệ wafer

Chất sơn phủ lên wafer

Chất nhạy ánh sáng dùng để chiếu vào wafer

Chất tạo hình bề mặt wafer

Chất làm mỏng wafer

Ánh sáng có bước sóng dài

Ánh sáng có bước sóng ngắn

Ánh sáng có bước sóng trong khoảng cả visible và ultraviolet

Ánh sáng có bước sóng trong khoảng cả ultraviolet và infrared

Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích âm trên wafer

Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer

Quá trình tạo lỗ giếng không doped trên wafer

Quá trình làm mỏng wafer

Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích âm trên wafer

Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer

Quá trình tạo lỗ giếng không doped trên wafer

Quá trình làm mỏng wafer

Quá trình làm mỏng wafer

Quá trình tạo các lỗ giếng không doped trên wafer

Quá trình tạo các lỗ giếng doped trên wafer

Quá trình tạo hình các khu vực trên wafer để tạo thành các thành phần mạch

Giảm tiêu thụ điện năng

Tăng hiệu năng mạch

Tăng độ chính xác của mạch

Giảm kích thước mạch

Twin-well sử dụng hai lớp n-well và p-well, trong khi triple-well sử dụng ba lớp n-well và p-well.

Twin-well sử dụng ba lớp n-well và p-well, trong khi triple-well sử dụng hai lớp n-well và p-well.

Twin-well và triple-well là hai thuật ngữ đồng nghĩa và có cùng ý nghĩa.

Twin-well và triple-well là hai phương pháp khác nhau nhưng không liên quan đến VLSI.

Hiệu ứng body

Hiệu ứng kênh dài

Hiệu ứng photoresist

Hiệu ứng diffusion

Một loại bộ nhớ dùng để lưu trữ dữ liệu

Một thành phần bán dẫn dùng để kiểm soát dòng điện trong mạch

Một loại linh kiện được sử dụng trong quá trình diffusion

Một thành phần bán dẫn dùng để lưu trữ dữ liệu tạm thời

Hiệu ứng body

Hiệu ứng kênh dài

Hiệu ứng kim loại (metal gate effect)

Hiệu ứng trễ đầu vào (input delay effect)