Câu 1
Điều gì quyết định mật độ tích hợp VLSI trên một chip bán dẫn?
Đáp án và lời giải
Đáp án: C
200+ Trắc nghiệm Cơ sở thiết kế VLSI (có đáp án)
Xem trước: đọc nhanh mọi câu dạng chữ, chưa tính giờ, chưa hiện đáp án.
Luyện tập: chọn đáp án là biết đúng sai ngay, kèm lời giải.
Thi thử: nộp bài mới chấm điểm và hiện lời giải.
Luyện tập: chọn đáp án là biết đúng sai ngay, kèm lời giải.
Thi thử: nộp bài mới chấm điểm và hiện lời giải.
Câu 2
Theo định luật Moore sau mỗi 18 tháng mật độ tích hợp transistor tăng lên gấp mấy lần?
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 3
Đây là công nghệ đóng gói gì?
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 4
Một trong những ưu điểm chính của ASIC so với các vi mạch dựa trên FPGA là.
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 5
Quá trình photolithography bắt đầu bằng việc làm gì với một wafer?
Đáp án và lời giải
Đáp án: A
Câu 6
Ưu điểm chính của kỹ thuật E-Beam là gì so với phương pháp photolithography truyền thống?
Đáp án và lời giải
Đáp án: C
Câu 7
ALU chịu trách nhiệm thực hiện các phép toán logic như.
Đáp án và lời giải
Đáp án: A
Câu 8
Đặc điểm nào sau đây chính xác về ALU?
Đáp án và lời giải
Đáp án: C
Câu 9
Chức năng chính của GPU là gì trong máy tính?
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 10
NPU là viết tắt của cụm từ gì?
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 11
Core là khái niệm trong vi xử lý dùng để chỉ.
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 12
Kernel được hiểu là?
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 13
Cache là gì?
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 14
Chức năng chính của ROM là gì?
Đáp án và lời giải
Đáp án: C
Câu 15
Trong CMOS, nguồn điện tiêu thụ năng lượng chủ yếu xảy ra khi.
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 16
Một trong những ưu điểm chính của công nghệ nMOS là.
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 17
Cấu trúc tinh thể của bán dẫn silic làm cho nó có khả năng bán dẫn do.
Đáp án và lời giải
Đáp án: C
Câu 18
Trong MOSFET, dòng điện giữa nguồn và chân máng (drain) được điều khiển bởi.
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 19
Trong cấu trúc MOSFET, pMOS và nMOS có điểm khác nhau chính là.
Đáp án và lời giải
Đáp án: C
Câu 20
Khoảng cách giữa 2 lớp khuếch tán là bao nhiêu?
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 21
Phương pháp thiết kế nào chiếm ít diện tích hơn?
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 22
Lớp oxit bên dưới lớp kim loại đầu tiên được lắng đọng bằng cách sử dụng?
Đáp án và lời giải
Đáp án: B
Câu 23
Khoảng cách tối thiểu giữa 2 n-well là?
Đáp án và lời giải
Đáp án: C
Câu 24
Lớp nào bị sụt áp cao?
Đáp án và lời giải
Đáp án: C
Câu 25
Lớp nào có điện dung cao?
Đáp án và lời giải
Đáp án: B